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JAN1N5806US

JAN1N5806US

참조 용

부품 번호 JAN1N5806US
PNEDA 부품 번호 JAN1N5806US
설명 DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,182
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N5806US 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N5806US
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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JAN1N5806US 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/477
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)150V
전류-평균 정류 (Io)2.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If975mV @ 2.5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)25ns
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 150V
커패시턴스 @ Vr, F25pF @ 10V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SQ-MELF, A
공급자 장치 패키지D-5A
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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제조업체

ON Semiconductor

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

18pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

CMR3U-02M TR13

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

SMC

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

VS-10ETF12SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.33V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

310ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB (D²PAK)

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

CUS05F40,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

810mV @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

15µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

28pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

USC

작동 온도-접합

150°C (Max)

1N5398G-T

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

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DO-15

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

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