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JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

참조 용

부품 번호 JAN1N5809URS
PNEDA 부품 번호 JAN1N5809URS
설명 DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,370
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N5809URS 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N5809URS
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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JAN1N5809URS 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/477
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If875mV @ 4A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)30ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F60pF @ 10V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SQ-MELF, B
공급자 장치 패키지B, SQ-MELF
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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ON Semiconductor

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.1V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

40ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2L

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

RMPG06G-E3/100

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

6.6pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

MPG06, Axial

공급자 장치 패키지

MPG06

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

FCQS20A065

Kyocera

제조업체

Kyocera International Inc. Electronic Components

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

65V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

630mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 65V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

TO-220 Full-Mold

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

PMEG2015EH,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

660mV @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

70µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

SOD-123F

작동 온도-접합

150°C (Max)

ESH1D-M3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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