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JAN1N6326US

JAN1N6326US

참조 용

부품 번호 JAN1N6326US
PNEDA 부품 번호 JAN1N6326US
설명 DIODE ZENER 12V 500MW B-SQ MELF
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,344
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N6326US 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N6326US
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JAN1N6326US 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/533
전압-제너 (Nom) (Vz)12V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)7 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr50nA @ 9.9V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.4V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SQ-MELF, B
공급자 장치 패키지B, SQ-MELF

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 18.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 27V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

1N4752 G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±10%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

45 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 25.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

91V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

75 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 69.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

Axial

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

25V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

35 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 19V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

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