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JAN1N6347US

JAN1N6347US

참조 용

부품 번호 JAN1N6347US
PNEDA 부품 번호 JAN1N6347US
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,580
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 12 - 3월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N6347US 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N6347US
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JAN1N6347US 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±2%

전력-최대

250mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

JAN1N4101C-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±2%

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 6.3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

CMDZ5227B TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±5%

전력-최대

250mW

임피던스 (최대) (Zzt)

24 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

15µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

MMSZ4683-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

800nA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 10mA

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

BZW03C91-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

91V

공차

±5%

전력-최대

1.85W

임피던스 (최대) (Zzt)

75 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 68V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-64, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-64

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