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JAN1N647-1

JAN1N647-1

참조 용

부품 번호 JAN1N647-1
PNEDA 부품 번호 JAN1N647-1
설명 DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,020
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N647-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N647-1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
JAN1N647-1, JAN1N647-1 데이터 시트 (총 페이지: 1, 크기: 75.11 KB)
PDFJAN1N647-1 데이터 시트 표지

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JAN1N647-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)400mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 400mA
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr50nA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

25nA @ 175V

커패시턴스 @ Vr, F

6pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

작동 온도-접합

175°C (Max)

BYM12-150-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

MB3035S-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

980pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

VS-15EWX06FNTRR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3.2V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

22ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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