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JAN1N6660DT1

JAN1N6660DT1

참조 용

부품 번호 JAN1N6660DT1
PNEDA 부품 번호 JAN1N6660DT1
설명 DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,942
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N6660DT1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N6660DT1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열

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JAN1N6660DT1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/608
다이오드 구성1 Pair Series Connection
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)45V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)15A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If750mV @ 15A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1mA @ 45V
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
공급자 장치 패키지TO-254AA

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

23A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 7.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 50A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

110ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 50V

작동 온도-접합

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

18A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

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다이오드 구성

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

700mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

490mV @ 700mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 30V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

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MBRTA500200R

GeneSiC Semiconductor

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다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

250A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 250A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 200V

작동 온도-접합

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