JAN2N3867
참조 용
| 부품 번호 | JAN2N3867 |
| PNEDA 부품 번호 | JAN2N3867 |
| 설명 | TRANS PNP 40V 3A TO5 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,346 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JAN2N3867 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JAN2N3867 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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JAN2N3867 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/350 |
| 트랜지스터 유형 | PNP |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 3A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 40V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100µA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
| 전력-최대 | 1W |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| 공급자 장치 패키지 | TO-5 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 5V 전력-최대 625mW 주파수-전환 400MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V 전력-최대 900mW 주파수-전환 120MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 LSTM |
