JAN2N4235
참조 용
| 부품 번호 | JAN2N4235 |
| PNEDA 부품 번호 | JAN2N4235 |
| 설명 | NPN TRANSISTOR |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,210 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JAN2N4235 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JAN2N4235 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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JAN2N4235 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | * |
| 트랜지스터 유형 | - |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | - |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | - |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | - |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | - |
| 전력-최대 | - |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 750mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 10V 전력-최대 625mW 주파수-전환 - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 125mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대) 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 1V 전력-최대 2W 주파수-전환 100MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220NIS |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대) 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 85 @ 500mA, 1V 전력-최대 36W 주파수-전환 3MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지 TO-225AA |
