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JAN2N5013

JAN2N5013

참조 용

부품 번호 JAN2N5013
PNEDA 부품 번호 JAN2N5013
설명 NPN TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,598
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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JAN2N5013 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN2N5013
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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JAN2N5013 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/727
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)800V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 20mA, 10V
전력-최대1W
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-5

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 150mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 1A, 2V

전력-최대

1.2W

주파수-전환

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작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

220V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89-3

MJD18002D2T4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

450V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

750mV @ 200mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

6 @ 1A, 1V

전력-최대

50W

주파수-전환

13MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

FMBS2383

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 5V

전력-최대

630mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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