JAN2N6383
참조 용
| 부품 번호 | JAN2N6383 |
| PNEDA 부품 번호 | JAN2N6383 |
| 설명 | TRANS NPN DARL 40V 10A TO-33 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,228 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JAN2N6383 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JAN2N6383 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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JAN2N6383 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/523 |
| 트랜지스터 유형 | NPN - Darlington |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 10A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 40V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 1mA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V |
| 전력-최대 | 6W |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-204AA, TO-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-204AA (TO-3) |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 50mA, 10V 전력-최대 2W 주파수-전환 60MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지 SOT-223 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대) 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 8 @ 500mA, 2V 전력-최대 1.5W 주파수-전환 - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
