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JANS1N6326US

JANS1N6326US

참조 용

부품 번호 JANS1N6326US
PNEDA 부품 번호 JANS1N6326US
설명 DIODE ZENER 12V 500MW B-SQ MELF
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,632
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANS1N6326US 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANS1N6326US
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JANS1N6326US 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)12V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)7 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 9V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.4V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SQ-MELF, B
공급자 장치 패키지B, SQ-MELF

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

29 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N4728A,113

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

JANTX1N4972

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/356

전압-제너 (Nom) (Vz)

39V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

14 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 29.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

-

JANTXV1N4486D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/406

전압-제너 (Nom) (Vz)

75V

공차

±1%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

130 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

250nA @ 60V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

MM5Z43VT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

43V

공차

±7%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

150 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 30.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523

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