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JANTX1N5525B-1

JANTX1N5525B-1

참조 용

부품 번호 JANTX1N5525B-1
PNEDA 부품 번호 JANTX1N5525B-1
설명 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,068
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 3 - 5월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTX1N5525B-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTX1N5525B-1
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JANTX1N5525B-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/437
전압-제너 (Nom) (Vz)6.2V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)30 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 5V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

300 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 27V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

42 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 14V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N4733AW-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

17V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

19 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 13V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

JANTXV1N978DUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/117

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

125 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 39V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

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