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JANTX1N5809US

JANTX1N5809US

참조 용

부품 번호 JANTX1N5809US
PNEDA 부품 번호 JANTX1N5809US
설명 DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,358
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 1 - 4월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTX1N5809US 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTX1N5809US
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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JANTX1N5809US 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/477
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If875mV @ 4A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)30ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F60pF @ 10V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SQ-MELF, B
공급자 장치 패키지B, SQ-MELF
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

ES1D-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (HSMA)

작동 온도-접합

-50°C ~ 150°C

IDP45E60XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

71A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2V @ 45A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

140ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

PG-TO220-2-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

SS22L RQG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RS2JHE3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

250ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

17pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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