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JANTX1N6324US

JANTX1N6324US

참조 용

부품 번호 JANTX1N6324US
PNEDA 부품 번호 JANTX1N6324US
설명 DIODE ZENER 10V 500MW DO213AA
제조업체 M/A-Com Technology Solutions
단가 견적 요청
재고 있음 4,608
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTX1N6324US 리소스

브랜드 M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTX1N6324US
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
JANTX1N6324US, JANTX1N6324US 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 158.92 KB)
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  • JANTX1N6324US Distributor

JANTX1N6324US 사양

제조업체M/A-Com Technology Solutions
시리즈Military, MIL-PRF-19500/533
전압-제너 (Nom) (Vz)10V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)6 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 10V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.4V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AA (Glass)
공급자 장치 패키지DO-213AA

관심을 가질만한 제품

ACZRT55C5V1-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

-

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

1N4705 TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 13.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N5379B/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

110V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

125 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 79.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

BZD27C130P-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, BZD27C

전압-제너 (Nom) (Vz)

130V

공차

-

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

300 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 100V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

DO-219AB (SMF)

BZG03B110-M3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

BZG03B-M

전압-제너 (Nom) (Vz)

110V

공차

±2%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 82V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 500mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

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DEA202450BT-1294C1-H

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