JANTX2N6764T1
참조 용
| 부품 번호 | JANTX2N6764T1 |
| PNEDA 부품 번호 | JANTX2N6764T1 |
| 설명 | MOSFET N-CH TO-254AA |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,338 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JANTX2N6764T1 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JANTX2N6764T1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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JANTX2N6764T1 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/543 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 38A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 38A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 125nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-254AA |
| 패키지 / 케이스 | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
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제조업체 IXYS 시리즈 PolarHT™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 70nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2720pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 360W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-263 (IXTA) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 180nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4500pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 360W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SOT-227B 패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 58nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2560pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220-3F 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 525V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.6Ohm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 340pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 20W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스 TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Ta), 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 85mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1165pF @ 75V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.1W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-263 (D²Pak) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
