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JANTX2N6784U

JANTX2N6784U

참조 용

부품 번호 JANTX2N6784U
PNEDA 부품 번호 JANTX2N6784U
설명 MOSFET N-CH 18-LCC
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 24 - 4월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTX2N6784U 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTX2N6784U
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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JANTX2N6784U 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/556
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.6nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)800mW (Ta), 15W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지18-ULCC (9.14x7.49)
패키지 / 케이스18-CLCC

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

425pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

15.6W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

310pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-223-4

패키지 / 케이스

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

400A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

5.6V @ 106.8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

+22V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17000pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1570W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

Module

패키지 / 케이스

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IRF614

Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

140pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

36W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

77A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2410pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

88W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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