JANTX2N7334
참조 용
| 부품 번호 | JANTX2N7334 |
| PNEDA 부품 번호 | JANTX2N7334 |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,970 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 26 - 5월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JANTX2N7334 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JANTX2N7334 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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JANTX2N7334 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/597 |
| FET 유형 | 4 N-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 600mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 1.4W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 공급자 장치 패키지 | MO-036AB |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A, 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 125mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 525pF @ 10V 전력-최대 900mW 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.5A, 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 28nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 900pF @ 10V 전력-최대 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
