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JANTXV1N3016C-1

JANTXV1N3016C-1

참조 용

부품 번호 JANTXV1N3016C-1
PNEDA 부품 번호 JANTXV1N3016C-1
설명 DIODE ZENER 6.8V 1W DO41
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,048
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTXV1N3016C-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTXV1N3016C-1
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JANTXV1N3016C-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/115
전압-제너 (Nom) (Vz)6.8V
공차±2%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)3.5 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr150µA @ 5.2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-55°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41

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공차

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전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

27V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

600 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 21V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZX79C10_T50R

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

JANTXV1N5519D-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/437

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

24 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

1N6003D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 9.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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