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JANTXV1N5533DUR-1

JANTXV1N5533DUR-1

참조 용

부품 번호 JANTXV1N5533DUR-1
PNEDA 부품 번호 JANTXV1N5533DUR-1
설명 DIODE ZENER 13V 500MW DO213AA
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,618
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 13 - 3월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTXV1N5533DUR-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTXV1N5533DUR-1
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • JANTXV1N5533DUR-1 Distributor

JANTXV1N5533DUR-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/437
전압-제너 (Nom) (Vz)13V
공차±1%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)90 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10nA @ 11.7V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AA (Glass)
공급자 장치 패키지DO-213AA

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Microsemi

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시리즈

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공차

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전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

500 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

175µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

4.7V

공차

-

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

PMDU

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

43V

공차

±1%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

53 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 32.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/533

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 9.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZX384B33-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 23.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-323

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