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JANTXV1N5811US

JANTXV1N5811US

참조 용

부품 번호 JANTXV1N5811US
PNEDA 부품 번호 JANTXV1N5811US
설명 DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,102
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 14 - 3월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTXV1N5811US 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTXV1N5811US
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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JANTXV1N5811US 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/477
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)150V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If875mV @ 4A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)30ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 150V
커패시턴스 @ Vr, F60pF @ 10V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SQ-MELF, B
공급자 장치 패키지B, SQ-MELF
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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제조업체

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-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

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속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

JANS1N6638

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/578

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

125V

전류-평균 정류 (Io)

300mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4.5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 125V

커패시턴스 @ Vr, F

2.5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

HER204G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

35pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

STTH4R02UY

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Q Automotive

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

MUR2510

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 25A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-4

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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