JANTXV1N6626U
참조 용
| 부품 번호 | JANTXV1N6626U |
| PNEDA 부품 번호 | JANTXV1N6626U |
| 설명 | DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,358 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JANTXV1N6626U 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JANTXV1N6626U |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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JANTXV1N6626U 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1.75A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.35V @ 2A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 30ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 2µA @ 200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SQ-MELF, E |
| 공급자 장치 패키지 | D-5B |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 620mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 16ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1.8µA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F 560pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-128 공급자 장치 패키지 CFP5 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 15A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 820mV @ 15A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 975mV @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 70pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 공급자 장치 패키지 ITO-220AB 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, Superectifier® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지 DO-213AB 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 4A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.75V @ 4A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 40µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 200pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 -40°C ~ 175°C |
