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JANTXV2N2484

JANTXV2N2484

참조 용

부품 번호 JANTXV2N2484
PNEDA 부품 번호 JANTXV2N2484
설명 TRANS NPN 60V 0.05A TO18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,804
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 26 - 5월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTXV2N2484 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTXV2N2484
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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JANTXV2N2484 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/376
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대)2nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce225 @ 10mA, 5V
전력-최대360mW
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-18

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1.25A, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

5 @ 6A, 5V

전력-최대

63W

주파수-전환

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150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 2mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

4000 @ 1A, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

1GHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

NSVMSA1162GT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

200V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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