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JANTXV2N3735L

JANTXV2N3735L

참조 용

부품 번호 JANTXV2N3735L
PNEDA 부품 번호 JANTXV2N3735L
설명 TRANS NPN 40V 1.5A TO5
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,852
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTXV2N3735L 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTXV2N3735L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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JANTXV2N3735L 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/395
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic900mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce20 @ 1A, 1.5V
전력-최대1W
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-5

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350V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

전력-최대

20W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

전력-최대

300mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PBSS4612PA,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

275mV @ 300mA, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

260 @ 2A, 2V

전력-최대

2.1W

주파수-전환

80MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.7V @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

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작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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