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JANTXV2N4150

JANTXV2N4150

참조 용

부품 번호 JANTXV2N4150
PNEDA 부품 번호 JANTXV2N4150_5A
설명 DIODE
제조업체 M/A-Com Technology Solutions
단가 견적 요청
재고 있음 5,526
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTXV2N4150 리소스

브랜드 M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTXV2N4150
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
JANTXV2N4150, JANTXV2N4150 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 189.87 KB)
PDFJANTXV2N4150 데이터 시트 표지
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  • JANTXV2N4150 Distributor

JANTXV2N4150 사양

제조업체M/A-Com Technology Solutions
시리즈Military, MIL-PRF-19500/394
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2.5V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대)10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce40 @ 5A, 5V
전력-최대160W
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-5

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

CMST3904 TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

275mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

2SA1576U3T106Q

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

200mW

주파수-전환

140MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

UMT3

JANTX2N5003

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/535

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 2.5A, 5V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

TO-210AA, TO-59-4, Stud

공급자 장치 패키지

TO-59

BC858A-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

125 @ 2mA, 5V

전력-최대

300mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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