JANTXV2N4957UB
참조 용
| 부품 번호 | JANTXV2N4957UB |
| PNEDA 부품 번호 | JANTXV2N4957UB |
| 설명 | RF TRANS PNP 30V 30MA UB |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,544 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JANTXV2N4957UB 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JANTXV2N4957UB |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
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JANTXV2N4957UB 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | PNP |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 30V |
| 주파수-전환 | - |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
| 이득 | 25dB |
| 전력-최대 | 200mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 30mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 3-SMD, No Lead |
| 공급자 장치 패키지 | UB |
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제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 12V 주파수-전환 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 이득 10dB ~ 13.5dB 전력-최대 600mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 35mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대) 80mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-SMD (36 micro-X) 공급자 장치 패키지 36 micro-X |
제조업체 Maxim Integrated 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V 주파수-전환 1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 3.3dB @ 836MHz 이득 11.6dB 전력-최대 6.4W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 250mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대) 1.2A 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-SOIC-EP |
