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JANTXV2N6383

JANTXV2N6383

참조 용

부품 번호 JANTXV2N6383
PNEDA 부품 번호 JANTXV2N6383
설명 TRANS NPN DARL 40V 10A TO3
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,902
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 3 - 5월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTXV2N6383 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTXV2N6383
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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JANTXV2N6383 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/523
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic3V @ 100mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 5A, 3V
전력-최대6W
주파수-전환-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지TO-204AA (TO-3)

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-5

BC546ABU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

FCX619TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

320mV @ 100mA, 2.75A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

165MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89-3

2SA1705S-AN

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SC-71

공급자 장치 패키지

3-NMP

2SC3265-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

전력-최대

200mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-236

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