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JDH2S01FSTPL3

JDH2S01FSTPL3

참조 용

부품 번호 JDH2S01FSTPL3
PNEDA 부품 번호 JDH2S01FSTPL3
설명 RF DIODE SCHOTTKY 4V FSC
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 2,340
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JDH2S01FSTPL3 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JDH2S01FSTPL3
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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  • JDH2S01FSTPL3 Distributor

JDH2S01FSTPL3 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 유형Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대)4V
현재-최대25mA
커패시턴스 @ Vr, F0.6pF @ 0.2V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지fSC

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현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

35Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

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Broadcom

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Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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시리즈

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PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.8pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

900mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

시리즈

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다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

200mW

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 2 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

40V

현재-최대

20mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.6pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

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