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JDH2S02FSTPL3

JDH2S02FSTPL3

참조 용

부품 번호 JDH2S02FSTPL3
PNEDA 부품 번호 JDH2S02FSTPL3
설명 RF DIODE SCHOTTKY 10V FSC
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 3,708
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 14 - 3월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JDH2S02FSTPL3 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JDH2S02FSTPL3
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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  • JDH2S02FSTPL3 Distributor

JDH2S02FSTPL3 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 유형Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대)10V
현재-최대10mA
커패시턴스 @ Vr, F0.3pF @ 0.2V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지fSC

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전압-피크 역방향 (최대)

80V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 1V, 1MHz

저항 @ If, F

800mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-피크 역방향 (최대)

5V

현재-최대

20mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.12pF @ 0V, 18GHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

50mW

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

110mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

18Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

120V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.02pF @ 10V, 10GHz

저항 @ If, F

6.5Ohm @ 20mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

패키지 / 케이스

2-SMD, Beam Lead

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M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

-

현재-최대

500mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

220mOhm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

패키지 / 케이스

CM32

공급자 장치 패키지

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