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JDH3D01STE85LF

JDH3D01STE85LF

참조 용

부품 번호 JDH3D01STE85LF
PNEDA 부품 번호 JDH3D01STE85LF
설명 RF DIODE SCHOTTKY 4V SSM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 2,808
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JDH3D01STE85LF 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JDH3D01STE85LF
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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  • JDH3D01STE85LF Distributor

JDH3D01STE85LF 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-피크 역방향 (최대)4V
현재-최대25mA
커패시턴스 @ Vr, F0.6pF @ 0.2V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지SSM

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50V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.8pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

600mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

-

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

175°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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시리즈

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

3Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.23pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

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