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JDP2S08SC(TPL3)

JDP2S08SC(TPL3)

참조 용

부품 번호 JDP2S08SC(TPL3)
PNEDA 부품 번호 JDP2S08SC-TPL3
설명 RF DIODE PIN 30V SC2
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가
1 ---------- $5.2550
250 ---------- $5.0087
500 ---------- $4.7624
1,000 ---------- $4.5161
2,500 ---------- $4.3108
5,000 ---------- $4.1055
재고 있음 10,197
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JDP2S08SC(TPL3) 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JDP2S08SC(TPL3)
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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  • JDP2S08SC(TPL3) Distributor

JDP2S08SC(TPL3) 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)30V
현재-최대50mA
커패시턴스 @ Vr, F0.4pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스2-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지SC2

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 30V, 1MHz

저항 @ If, F

900mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TA)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

MA4P7006F-1072T

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

600V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

900mOhm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

10W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

패키지 / 케이스

2-SMD

공급자 장치 패키지

-

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시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

35Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

MA4E2200E1-1068T

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 2 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

1.5V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-65°C ~ 125°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143

BAT6203WE6327HTSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

40V

현재-최대

20mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.6pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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