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JR28F064M29EWTA

JR28F064M29EWTA

참조 용

부품 번호 JR28F064M29EWTA
PNEDA 부품 번호 JR28F064M29EWTA
설명 IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP
제조업체 Micron Technology Inc.
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JR28F064M29EWTA 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JR28F064M29EWTA
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
JR28F064M29EWTA, JR28F064M29EWTA 데이터 시트 (총 페이지: 87, 크기: 980.97 KB)
PDFPZ28F064M29EWTX 데이터 시트 표지
PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 2 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 3 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 4 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 5 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 6 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 7 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 8 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 9 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 10 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 11

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JR28F064M29EWTA 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지70ns
접근 시간70ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지48-TSOP

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SOJ

RC28F256P33TFE

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Axcell™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

52MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

95ns

접근 시간

95ns

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-TBGA

공급자 장치 패키지

64-EasyBGA (8x10)

70V3579S6BCI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

1.125Mb (32K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

256-LBGA

공급자 장치 패키지

256-CABGA (17x17)

AT24C512B-PU

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.8V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

DS1225AD-200IND

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

200ns

접근 시간

200ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

28-EDIP

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