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KBJ2508G

KBJ2508G

참조 용

부품 번호 KBJ2508G
PNEDA 부품 번호 KBJ2508G
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A KBJ
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,794
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KBJ2508G 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KBJ2508G
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
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KBJ2508G 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)25A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.05V @ 12.5A
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 800V
작동 온도-55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, KBJ
공급자 장치 패키지KBJ

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전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 400mA

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

DF10S/27

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

DFS

KBP201G

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 2A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBP

공급자 장치 패키지

KBP

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시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 12.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBJ

공급자 장치 패키지

GBJ

제조업체

IXYS

시리즈

-

다이오드 유형

Three Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1.6kV

전류-평균 정류 (Io)

27A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.04V @ 15A

전류-역방향 누설 @ Vr

40µA @ 1600V

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

QC Terminal

패키지 / 케이스

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