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KBP08M-M4/51

KBP08M-M4/51

참조 용

부품 번호 KBP08M-M4/51
PNEDA 부품 번호 KBP08M-M4-51
설명 BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,004
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

KBP08M-M4/51 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KBP08M-M4/51
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
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  • KBP08M-M4/51 Distributor

KBP08M-M4/51 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)1.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 3.14A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 800V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, KBPM
공급자 장치 패키지KBPM

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Single Phase

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전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 7.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

QC Terminal

패키지 / 케이스

4-Square, KBPC

공급자 장치 패키지

KBPC

B80C1000G-E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

125V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 125V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-Circular, WOG

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WOG

TS25P07G D2G

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, TS-6P

공급자 장치 패키지

TS-6P

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GeneSiC Semiconductor

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 12.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

QC Terminal

패키지 / 케이스

4-Square, GBPC

공급자 장치 패키지

GBPC

F475R07W2H3B51BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

-

기술

-

전압-피크 역방향 (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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