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KBP202G

KBP202G

참조 용

부품 번호 KBP202G
PNEDA 부품 번호 KBP202G_156
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가
1 ---------- $77.4326
50 ---------- $73.8029
100 ---------- $70.1733
200 ---------- $66.5436
400 ---------- $63.5189
500 ---------- $60.4942
재고 있음 272
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KBP202G 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KBP202G
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
KBP202G, KBP202G 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 611.62 KB)
PDFKBP204G 데이터 시트 표지
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  • KBP202G Distributor

KBP202G 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 2A
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 100V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, KBP
공급자 장치 패키지KBP

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다이오드 유형

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기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3.14A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBPM

공급자 장치 패키지

KBPM

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Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 4A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBU

공급자 장치 패키지

GBU

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

900mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 900mA

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-Circular, WOG

공급자 장치 패키지

WOG

제조업체

IXYS

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1.2kV

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 12.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1200V

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBO

공급자 장치 패키지

4-SIP

제조업체

IXYS

시리즈

-

다이오드 유형

Three Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1.6kV

전류-평균 정류 (Io)

37A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.55V @ 150A

전류-역방향 누설 @ Vr

300µA @ 1600V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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