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KBP307G C2G

KBP307G C2G

참조 용

부품 번호 KBP307G C2G
PNEDA 부품 번호 KBP307G-C2G
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A KBP
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
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KBP307G C2G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KBP307G C2G
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
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KBP307G C2G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)1kV
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 3A
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 1000V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, KBP
공급자 장치 패키지KBP

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전압-피크 역방향 (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

2.8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 3A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 6A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, TS-6P

공급자 장치 패키지

TS-6P

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Avalanche

전압-피크 역방향 (최대)

900V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 900V

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

VS-90MT120KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Three Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1.2kV

전류-평균 정류 (Io)

90A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

MT-K Module

공급자 장치 패키지

MT-K

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시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1.4kV

전류-평균 정류 (Io)

45A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 150A

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 1400V

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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FO-T-A

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