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KBU8J

KBU8J

참조 용

부품 번호 KBU8J
PNEDA 부품 번호 KBU8J
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 18,060
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 22 - 3월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

KBU8J 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KBU8J
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
KBU8J, KBU8J 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 420.18 KB)
PDFKBU8K 데이터 시트 표지
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KBU8J 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 8A
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 600V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, KBU
공급자 장치 패키지KBU

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3.14A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

작동 온도

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전압-피크 역방향 (최대)

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15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 7.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 3A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBPM

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