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KGF12N05-400-SP

KGF12N05-400-SP

참조 용

부품 번호 KGF12N05-400-SP
PNEDA 부품 번호 KGF12N05-400-SP
설명 IC MOSFET N-CH
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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KGF12N05-400-SP 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KGF12N05-400-SP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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KGF12N05-400-SP 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)5.5V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)3.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6nC @ 3.5V
Vgs (최대)±5.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds940pF @ 5.5V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지6-WLCSP (1.47x1.47)
패키지 / 케이스6-SMD, No Lead

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60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3220pF @ 25V

FET 기능

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2820pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

제조업체

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시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

44A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

245nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6725pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

830W (Tc)

작동 온도

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Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3640pF @ 15V

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