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KSC5027OTU

KSC5027OTU

참조 용

부품 번호 KSC5027OTU
PNEDA 부품 번호 KSC5027OTU
설명 TRANS NPN 800V 3A TO-220
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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KSC5027OTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KSC5027OTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
KSC5027OTU, KSC5027OTU 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 235.53 KB)
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KSC5027OTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)800V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2V @ 300mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대)10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce20 @ 200mA, 5V
전력-최대50W
주파수-전환15MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220-3

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80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

800mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 2V, 1A

전력-최대

30W

주파수-전환

-

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150°C (TJ)

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Through Hole

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

800mV @ 5mA, 30mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 20V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

60MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

130MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223 (TO-261)

2N3391A

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 2mA, 4.5V

전력-최대

-

주파수-전환

120MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

200V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

800mV @ 3mA, 30mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 10V

전력-최대

1.2W

주파수-전환

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작동 온도

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