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KSD261CYBU

KSD261CYBU

참조 용

부품 번호 KSD261CYBU
PNEDA 부품 번호 KSD261CYBU
설명 TRANS NPN 20V 0.5A TO-92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,454
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
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KSD261CYBU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KSD261CYBU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
KSD261CYBU, KSD261CYBU 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 293.27 KB)
PDFKSD261YTA 데이터 시트 표지
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KSD261CYBU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 1V
전력-최대500mW
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 200mA, 2V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 125mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 4V

전력-최대

30W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 125mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 4V

전력-최대

30W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

전력-최대

10W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220NIS

2SD1683S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 2V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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