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L2004F51

L2004F51

참조 용

부품 번호 L2004F51
PNEDA 부품 번호 L2004F51
설명 TRIAC SENS GATE 200V 4A TO202
제조업체 Littelfuse
단가 견적 요청
재고 있음 4,176
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

L2004F51 리소스

브랜드 Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호L2004F51
분류반도체사이리스터사이리스터-TRIAC
데이터 시트
L2004F51, L2004F51 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 170.92 KB)
PDFL201E3RP 데이터 시트 표지
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L2004F51 사양

제조업체Littelfuse Inc.
시리즈-
Triac 유형Logic - Sensitive Gate
전압-꺼짐 상태200V
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대)4A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대)2V
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm)33A, 40A
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대)5mA
전류-홀드 (Ih) (최대)10mA
구성Single
작동 온도-40°C ~ 110°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-202 Long Tab
공급자 장치 패키지TO-202

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4A

전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대)

1.3V

전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm)

46A, 55A

전류-게이트 트리거 (Igt) (최대)

25mA

전류-홀드 (Ih) (최대)

30mA

구성

Single

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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시리즈

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Triac 유형

Alternistor - Snubberless

전압-꺼짐 상태

600V

전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대)

30A

전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대)

1V

전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm)

270A, 284A

전류-게이트 트리거 (Igt) (최대)

35mA

전류-홀드 (Ih) (최대)

60mA

구성

Single

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

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제조업체

WeEn Semiconductors

시리즈

-

Triac 유형

Standard

전압-꺼짐 상태

800V

전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대)

10A

전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대)

1.5V

전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm)

100A, 110A

전류-게이트 트리거 (Igt) (최대)

35mA

전류-홀드 (Ih) (최대)

35mA

구성

Single

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

QK006RH4TP

Littelfuse

제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

*

Triac 유형

-

전압-꺼짐 상태

-

전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대)

-

전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대)

-

전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm)

-

전류-게이트 트리거 (Igt) (최대)

-

전류-홀드 (Ih) (최대)

-

구성

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Littelfuse

제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

-

Triac 유형

Alternistor - Snubberless

전압-꺼짐 상태

600V

전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대)

10A

전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대)

1.3V

전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm)

110A, 120A

전류-게이트 트리거 (Igt) (최대)

50mA

전류-홀드 (Ih) (최대)

50mA

구성

Single

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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공급자 장치 패키지

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