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L603C

L603C

참조 용

부품 번호 L603C
PNEDA 부품 번호 L603C
설명 TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 5,382
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

L603C 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호L603C
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
L603C, L603C 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 67.02 KB)
PDFL604C 데이터 시트 표지
L604C 데이터 시트 페이지 2 L604C 데이터 시트 페이지 3 L604C 데이터 시트 페이지 4

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L603C 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형8 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)400mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2V @ 500µA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전력-최대1.8W
주파수-전환-
작동 온도-25°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지18-DIP

관심을 가질만한 제품

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Nexperia

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

120mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 500mA, 2V

전력-최대

510mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-HUSON-EP (2x2)

ULN2003APWG4

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

트랜지스터 유형

7 NPN Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-20°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

16-TSSOP

BCM856SH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

250mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

CMLT2907A TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

350mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

HN1A01F-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

전력-최대

300mW

주파수-전환

80MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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