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L6384E

L6384E

참조 용

부품 번호 L6384E
PNEDA 부품 번호 L6384E
설명 IC DRVR HALF BRIDGE HV 8-DIP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 7,506
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

L6384E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호L6384E
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
L6384E, L6384E 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 331.46 KB)
PDFL6384E 데이터 시트 표지
L6384E 데이터 시트 페이지 2 L6384E 데이터 시트 페이지 3 L6384E 데이터 시트 페이지 4 L6384E 데이터 시트 페이지 5 L6384E 데이터 시트 페이지 6 L6384E 데이터 시트 페이지 7 L6384E 데이터 시트 페이지 8 L6384E 데이터 시트 페이지 9 L6384E 데이터 시트 페이지 10 L6384E 데이터 시트 페이지 11

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L6384E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급14.6V ~ 16.6V
논리 전압-VIL, VIH1.5V, 3.6V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)400mA, 650mA
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)600V
상승 / 하강 시간 (일반)50ns, 30ns
작동 온도-45°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-DIP

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시리즈

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구동 구성

Half-Bridge, Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.7V, 2.65V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

100mA, 100mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 6ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

31-PowerWFQFN

공급자 장치 패키지

31-PQFN (5x5)

TPS2834PWP

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.7A, 2.4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

28V

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

14-HTSSOP

LTC1982ES6#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.6V, 1.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-23-6

TD310ID

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

3

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SO

IR2135JTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

90ns, 40ns

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

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