L6391DTR
참조 용
| 부품 번호 | L6391DTR |
| PNEDA 부품 번호 | L6391DTR |
| 설명 | IC DRIVER HV HI/LOW SIDE |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,352 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 30 - 4월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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L6391DTR 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | L6391DTR |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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L6391DTR 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Half-Bridge |
| 채널 유형 | Independent |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 12.5V ~ 20V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 1.1V, 1.9V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 290mA, 430mA |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | 600V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 75ns, 35ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 14-SO |
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제조업체 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4.75V ~ 5.25V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 500mA, 500mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 5ns, 7ns 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
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