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L9856

L9856

참조 용

부품 번호 L9856
PNEDA 부품 번호 L9856
설명 IC DRIVER HIGH SIDE HV 8-SOIC
제조업체 STMicroelectronics
단가
1 ---------- $1,937.2372
50 ---------- $1,846.4293
100 ---------- $1,755.6213
200 ---------- $1,664.8133
400 ---------- $1,589.1399
500 ---------- $1,513.4666
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L9856 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호L9856
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
L9856, L9856 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 166.48 KB)
PDFL9856 데이터 시트 표지
L9856 데이터 시트 페이지 2 L9856 데이터 시트 페이지 3 L9856 데이터 시트 페이지 4 L9856 데이터 시트 페이지 5 L9856 데이터 시트 페이지 6 L9856 데이터 시트 페이지 7 L9856 데이터 시트 페이지 8 L9856 데이터 시트 페이지 9 L9856 데이터 시트 페이지 10 L9856 데이터 시트 페이지 11

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L9856 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
구동 구성High-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.4V ~ 6.5V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)500mA, 500mA
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)150V
상승 / 하강 시간 (일반)100ns, 100ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 7V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3.2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

17ns, 12ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

L6384

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

14.6V ~ 16.6V

논리 전압-VIL, VIH

1.5V, 3.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

400mA, 650mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 30ns

작동 온도

-45°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-Mini DIP

DRV110PWR

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

6V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1.3V, 1.65V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

IR2117STR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 9.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

NCP5104DR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

85ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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