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LDA200STR

LDA200STR

참조 용

부품 번호 LDA200STR
PNEDA 부품 번호 LDA200STR
설명 OPTOISO 3.75KV 2CH TRANS 8SMD
제조업체 IXYS Integrated Circuits Division
단가
1 ---------- $10.8623
100 ---------- $10.3532
250 ---------- $9.8440
500 ---------- $9.3348
750 ---------- $8.9105
1,000 ---------- $8.4862
재고 있음 969
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

LDA200STR 리소스

브랜드 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LDA200STR
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

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  • LDA200STR Distributor

LDA200STR 사양

제조업체IXYS Integrated Circuits Division
시리즈-
채널 수2
전압-절연3750Vrms
전류 전송 비율 (최소)33% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대)1000% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반)7µs, 20µs
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형AC, DC
출력 유형Transistor
전압-출력 (최대)30V
전류-출력 / 채널-
전압-순방향 (Vf) (통상)1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대)1mA
Vce 포화 (최대)500mV
작동 온도-40°C ~ 85°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지8-SMD

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

80% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

160% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

200mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

4-DIP

TLP293(GB,E

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

공급자 장치 패키지

4-SO

OPI7320

TT Electronics/Optek Technology

제조업체

TT Electronics/Optek Technology

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

6000VDC

전류 전송 비율 (최소)

200% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

150µs, 125µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington

전압-출력 (최대)

15V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

1V

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

4-DIP

CNY117F-4X016

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

160% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

320% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 2.3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 2µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.39V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

TLP292-4(V4-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

4

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

AC, DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SO

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