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LE25U20AQGTXG

LE25U20AQGTXG

참조 용

부품 번호 LE25U20AQGTXG
PNEDA 부품 번호 LE25U20AQGTXG
설명 IC FLASH 2M SPI 30MHZ 8WDFN
제조업체 ON Semiconductor
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LE25U20AQGTXG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LE25U20AQGTXG
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
LE25U20AQGTXG, LE25U20AQGTXG 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 302.63 KB)
PDFLE25U20AQGTXG 데이터 시트 표지
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LE25U20AQGTXG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수30MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급2.3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-WFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-WDFN (2x3)

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

52-PLCC (19.13x19.13)

DS1220AB-150

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

150ns

접근 시간

150ns

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

24-DIP Module (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

24-EDIP

IS49NLS96400A-25WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (64M x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-TBGA

공급자 장치 패키지

144-TWBGA (11x18.5)

IS43DR81280B-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

450ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-TWBGA (8x10.5)

MTFC16GJVEC-2M WT TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

e•MMC™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

128Gb (16G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

169-VFBGA

공급자 장치 패키지

169-VFBGA

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