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LL42-GS08

LL42-GS08

참조 용

부품 번호 LL42-GS08
PNEDA 부품 번호 LL42-GS08
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MINMELF
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 50,478
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

LL42-GS08 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LL42-GS08
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
LL42-GS08, LL42-GS08 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 85.57 KB)
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LL42-GS08 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io)200mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If650mV @ 50mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)5ns
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 25V
커패시턴스 @ Vr, F7pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지SOD-80 MiniMELF
작동 온도-접합-55°C ~ 125°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

70ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

20A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 20A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

120µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

584pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3-41

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BAL99-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-평균 정류 (Io)

300mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 150mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2.5µA @ 75V

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

VS-SD1700C24K

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

2400V

전류-평균 정류 (Io)

2080A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.81V @ 4000A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

75mA @ 2400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Clamp On

패키지 / 케이스

DO-200AC, K-PUK

공급자 장치 패키지

DO-200AC, K-PUK

작동 온도-접합

-

V12P10HM3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

120V

전류-평균 정류 (Io)

3.9A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

830mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 120V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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