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LM5112SDX/NOPB

LM5112SDX/NOPB

참조 용

부품 번호 LM5112SDX/NOPB
PNEDA 부품 번호 LM5112SDX-NOPB
설명 IC MOSFET GATE DVR TINY 7A 6WSON
제조업체 Texas Instruments
단가 견적 요청
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LM5112SDX/NOPB 리소스

브랜드 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LM5112SDX/NOPB
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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LM5112SDX/NOPB 사양

제조업체
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급3.5V ~ 14V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)3A, 7A
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)14ns, 12ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-WSON (3x3)

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

150ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MIC4422CN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 24ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

TPS2849PWP

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

29V

상승 / 하강 시간 (일반)

65ns, 65ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

14-HTSSOP

1SD312F2-CM900HB-90H

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-1

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

15.5V ~ 16.8V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

12A, 12A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 100ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

EL7155CSZ-T13

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

4.5V ~ 16.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3.5A, 3.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

14.5ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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