LM5113SDE/NOPB
참조 용
| 부품 번호 | LM5113SDE/NOPB |
| PNEDA 부품 번호 | LM5113SDE-NOPB |
| 설명 | IC GATE DRIVER HALF BRIDGE 10SON |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 22,980 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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LM5113SDE/NOPB 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | LM5113SDE/NOPB |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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LM5113SDE/NOPB 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Half-Bridge |
| 채널 유형 | Independent |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 4.5V ~ 5.5V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 1.76V, 1.89V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 1.2A, 5A |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | 107V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 7ns, 1.5ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 10-WDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 10-WSON (4x4) |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT 전압-공급 11.5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 3A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 1200V 상승 / 하강 시간 (일반) 24ns, 7ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 24-SSOP (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지 24-SSOP |
