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LT1158IN#PBF

LT1158IN#PBF

참조 용

부품 번호 LT1158IN#PBF
PNEDA 부품 번호 LT1158IN-PBF
설명 IC MOSFET DVR 1/2BRDG NCH 16DIP
제조업체 Linear Technology/Analog Devices
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LT1158IN#PBF 리소스

브랜드 Linear Technology/Analog Devices
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LT1158IN#PBF
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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  • LT1158IN#PBF Distributor

LT1158IN#PBF 사양

제조업체Linear Technology/Analog Devices
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급5V ~ 30V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)500mA, 500mA
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)56V
상승 / 하강 시간 (일반)130ns, 120ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지16-PDIP

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

5A, 5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 9ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-MLP (3x3)

1SD312F2-CM600HB-90H

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-1

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

15.5V ~ 16.8V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

12A, 12A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 100ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

UC3708N

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

5V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

6EDL04I06PCX1SA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EiceDriver™

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT

전압-공급

13V ~ 17.5V

논리 전압-VIL, VIH

1.1V, 1.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

60ns, 26ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Chip

FAN7080M-GF085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

5.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

300mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SOIC

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